Samsung načrtuje namestitev svojega prvega High-NA EUV v Hwaseongu v Južni Koreji, ki naj bi ga začeli uporabljati sredi leta 2025

Poroča se, da bo Samsung začel nameščati prvi High-NA EUV v svojem parku Hwaseong v Južni Koreji od četrtega četrtletja leta 2024 do prvega četrtletja leta 2025. Pričakuje se, da bo začel uporabljati sredi leta 2025 in bo najprej uporabljen za razvoj logičnih procesov pod 2nm in naprednih procesov čipov DRAM. Samsung načrtuje tudi sodelovanje z Lasertec, JSR, Tokyo Electron in Synopsys pri izgradnji ekosistema High-NA EUV.