স্যামসাং দক্ষিণ কোরিয়ার হোয়াসিওং-এ তার প্রথম হাই-এনএ ইইউভি ইনস্টল করার পরিকল্পনা করেছে, যা ২০২৫ সালের মাঝামাঝি সময়ে ব্যবহার করা হবে বলে আশা করা হচ্ছে।

জানা গেছে যে স্যামসাং ২০২৪ সালের চতুর্থ ত্রৈমাসিক থেকে ২০২৫ সালের প্রথম ত্রৈমাসিক পর্যন্ত দক্ষিণ কোরিয়ার হোয়াসিওং পার্কে প্রথম হাই-এনএ ইইউভি ইনস্টল করা শুরু করবে। এটি ২০২৫ সালের মাঝামাঝি সময়ে ব্যবহার করা হবে বলে আশা করা হচ্ছে এবং প্রথমে ২এনএমের নীচের লজিক প্রক্রিয়া এবং উন্নত ডিআরএএম চিপ প্রক্রিয়াগুলি বিকাশের জন্য ব্যবহার করা হবে। স্যামসাং একটি হাই-এনএ ইইউভি ইকোসিস্টেম তৈরির জন্য লেজারটেক, জেএসআর, টোকিও ইলেকট্রন এবং সিনোপসিসের সাথে সহযোগিতা করার পরিকল্পনাও করেছে।