普星電子は6インチ低密度欠陥シリコンカーバイドエピタキシャルウェーハ産業化プロジェクトの環境影響評価の第2回公告を発表した。

河北普星電子科技有限公司（略称普星電子）はこのほど、6インチ低密度欠陥シリコンカーバイドエピタキシャルウェーハ産業化プロジェクトの環境影響評価第2次公示を自社の公式ウェブサイトで発表した。プロジェクトの総投資額は3億5000万人民元で、建築面積約4000平方メートルの第1工場を利用して、シリコンカーバイドエピタキシャル装置と付属設備116セットを購入し、6インチの低密度欠陥シリコンカーバイドエピタキシャル材料生産ラインを構築する予定である。プロジェクト完了後は、年間24万枚のシリコンカーバイドエピタキシャルウエハの生産能力を持つと予想されています。