STMicroelectronics болон Sanan нар хамтран Чунцин хотод 8 инчийн цахиурын карбидын (SiC) субстратын үйлдвэр барихаар болжээ.

Чунцин хотод STMicroelectronics (STM) болон Sanan Optoelectronics ХХК-ийн хамтран байгуулсан 8 инчийн цахиурын карбидын (SiC) субстратын үйлдвэр төлөвлөсөн хугацаанаас хоёр сарын өмнө үйлдвэрлэлээ эхлүүлжээ. Энэхүү үйлдвэр нь Хятадын цахилгаан автомашины нийлүүлэлтийн сүлжээнд томоохон хөрөнгө оруулалт болж, R&D болон автомашины ангиллын SiC субстрат, эпитакси, чип үйлдвэрлэлийг нэгтгэсэн томоохон хөрөнгө оруулалт юм. Sanan ST-ийн цахиурын карбидын төслийн нийт хөрөнгө оруулалт 30 тэрбум орчим юань бөгөөд жилийн орлого нь 17 тэрбум юаньд хүрэх төлөвтэй байна. Чунцин үйлдвэр нь жилд 480,000 ширхэг 8 инчийн SiC субстрат, автомашины зэрэглэлийн MOSFET цахилгаан чип үйлдвэрлэх хүчин чадалтай Хятадын эрчимтэй хөгжиж буй цахилгаан автомашины зах зээлд SiC субстратын гол нийлүүлэгч болно.