STMicroelectronics und Sanan kooperieren beim Bau einer 8-Zoll-Siliziumkarbid-Substratfabrik (SiC) in Chongqing

Die von STMicroelectronics (STM) und Sanan Optoelectronics Co., Ltd. gemeinsam errichtete 8-Zoll-Fabrik für Siliziumkarbid-Substrate (SiC) in Chongqing hat zwei Monate früher als geplant mit der Produktion begonnen. Das Werk stellt eine bedeutende Investition in die Lieferkette von Elektrofahrzeugen in China dar und integriert die Forschung und Entwicklung sowie die Herstellung von SiC-Substraten, Epitaxie und Chips in Automobilqualität. Die Gesamtinvestition des Siliziumkarbid-Projekts von Sanan ST beträgt etwa 30 Milliarden RMB und der Jahresumsatz wird voraussichtlich 17 Milliarden RMB erreichen. Das Werk in Chongqing wird sich zu einem der Hauptlieferanten von SiC-Substraten für Chinas boomenden Markt für Elektrofahrzeuge entwickeln und verfügt über eine jährliche Produktionskapazität von 480.000 8-Zoll-SiC-Substraten und MOSFET-Leistungschips in Automobilqualität.