STMicroelectronics og Sanan samarbejder om at bygge en 8-tommer siliciumcarbid (SiC) substratfabrik i Chongqing

Den 8-tommer siliciumcarbid (SiC) substratfabrik etableret i fællesskab af STMicroelectronics (STM) og Sanan Optoelectronics Co., Ltd. i Chongqing har startet produktionen to måneder før tidsplanen. Anlægget er en betydelig investering i Kinas forsyningskæde for elektriske køretøjer, der integrerer F&U og fremstilling af SiC-substrater, epitaksi og chips til biler. Den samlede investering af Sanan ST's siliciumcarbidprojekt er omkring RMB 30 milliarder, og den årlige omsætning forventes at nå RMB 17 milliarder. Chongqing-fabrikken vil blive en stor leverandør af SiC-substrater til Kinas blomstrende marked for elektriske køretøjer med en årlig produktionskapacitet på 480.000 8-tommer SiC-substrater og MOSFET-kraftchips af automotive kvalitet.