STMicroelectronics en Sanan werken samen om een ​​8-inch siliciumcarbide (SiC) substraatfabriek te bouwen in Chongqing

De 8-inch siliciumcarbide (SiC) substraatfabriek, gezamenlijk opgericht door STMicroelectronics (STM) en Sanan Optoelectronics Co., Ltd. in Chongqing, is twee maanden eerder dan gepland met de productie begonnen. De fabriek is een belangrijke investering in de Chinese toeleveringsketen voor elektrische voertuigen, waarbij R&D en productie van SiC-substraten, epitaxie en chips voor de automobielindustrie worden geïntegreerd. De totale investering van het siliciumcarbideproject van Sanan ST bedraagt ​​ongeveer RMB 30 miljard en de jaarlijkse omzet zal naar verwachting RMB 17 miljard bedragen. De fabriek in Chongqing wordt een belangrijke leverancier van SiC-substraten voor de groeiende Chinese markt voor elektrische voertuigen, met een jaarlijkse productiecapaciteit van 480.000 8-inch SiC-substraten en MOSFET-vermogenschips van automobielkwaliteit.