STMicroelectronics y Sanan cooperan para construir una fábrica de sustrato de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas en Chongqing

La fábrica de sustrato de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas establecida conjuntamente por STMicroelectronics (STM) y Sanan Optoelectronics Co., Ltd. en Chongqing ha comenzado la producción dos meses antes de lo previsto. La planta supone una inversión importante en la cadena de suministro de vehículos eléctricos de China, que integra la I+D y la fabricación de sustratos de SiC de grado automotriz, epitaxia y chips. La inversión total del proyecto de carburo de silicio de Sanan ST es de aproximadamente 30 mil millones de RMB y se espera que los ingresos anuales alcancen los 17 mil millones de RMB. La planta de Chongqing se convertirá en un importante proveedor de sustratos de SiC para el floreciente mercado de vehículos eléctricos de China, con una capacidad de producción anual de 480.000 sustratos de SiC de 8 pulgadas y chips de potencia MOSFET de grado automotriz.