STMicroelectronics och Sanan samarbetar för att bygga en 8-tums substratfabrik för kiselkarbid (SiC) i Chongqing

Den 8-tums kiselkarbid-substratfabriken (SiC) som grundats gemensamt av STMicroelectronics (STM) och Sanan Optoelectronics Co., Ltd. i Chongqing har startat produktionen två månader före schemat. Anläggningen är en betydande investering i Kinas elfordonsförsörjningskedja, som integrerar FoU och tillverkning av SiC-substrat, epitaxi och chip av fordonskvalitet. Den totala investeringen i Sanan ST:s kiselkarbidprojekt är cirka 30 miljarder RMB, och den årliga omsättningen förväntas uppgå till 17 miljarder RMB. Chongqing-fabriken kommer att bli en stor leverantör av SiC-substrat för Kinas blomstrande elfordonsmarknad, med en årlig produktionskapacitet på 480 000 8-tums SiC-substrat och MOSFET-kraftchips av fordonskvalitet.