STMicroelectronics dan Sanan bekerja sama membangun pabrik substrat silikon karbida (SiC) berukuran 8 inci di Chongqing

Pabrik substrat silikon karbida (SiC) berukuran 8 inci yang didirikan bersama oleh STMicroelectronics (STM) dan Sanan Optoelectronics Co., Ltd. di Chongqing telah memulai produksi dua bulan lebih cepat dari jadwal. Pabrik ini merupakan investasi signifikan dalam rantai pasokan kendaraan listrik China, yang mengintegrasikan penelitian dan pengembangan serta manufaktur substrat SiC kelas otomotif, epitaksi, dan chip. Total investasi proyek silikon karbida Sanan ST adalah sekitar RMB 30 miliar, dan pendapatan tahunan diharapkan mencapai RMB 17 miliar. Pabrik Chongqing akan menjadi pemasok utama substrat SiC untuk pasar kendaraan listrik Tiongkok yang sedang berkembang pesat, dengan kapasitas produksi tahunan sebesar 480.000 substrat SiC 8 inci dan chip daya MOSFET kelas otomotif.