STMicroelectronics dan Sanan bekerjasama untuk membina kilang substrat silikon karbida (SiC) 8 inci di Chongqing

Kilang substrat silikon karbida (SiC) 8 inci yang ditubuhkan bersama oleh STMicroelectronics (STM) dan Sanan Optoelektronik Co., Ltd. di Chongqing telah memulakan pengeluaran dua bulan lebih awal daripada jadual. Kilang itu merupakan pelaburan besar dalam rantaian bekalan kenderaan elektrik China, menyepadukan R&D dan pembuatan substrat SiC gred automotif, epitaksi dan cip. Jumlah pelaburan projek silikon karbida Sanan ST adalah kira-kira RMB 30 bilion, dan hasil tahunan dijangka mencecah RMB 17 bilion. Kilang Chongqing akan menjadi pembekal utama substrat SiC untuk pasaran kenderaan elektrik China yang berkembang pesat, dengan kapasiti pengeluaran tahunan sebanyak 480,000 substrat SiC 8 inci dan cip kuasa MOSFET gred automotif.