Výhody nových modulů hlavního pohonu z karbidu křemíku společnosti Xizhi Technology

Produkty řady modulů rozhraní SiC MOSFET DCM-8 a SiC MOSFET PM6-4 společnosti Xizhi Technology se vyznačují velmi nízkou indukčností smyčky, nižšími napěťovými špičkami, nízkým odporem a rychlou zpětnou obnovou, nižším tepelným odporem a vyšší hustotou výkonu. Tyto produkty jsou v souladu s vývojovým trendem 800V nových energetických vozidel přecházejících na výkonové moduly zapouzdřené v plastu z karbidu křemíku a mohou plně využít vynikající výkon polovodičů třetí generace.