Перавагі модуляў карбіду крэмнію новага энергетычнага транспартнага сродку Xizhi Technology

Інтэрфейсны модуль SiC MOSFET DCM-8 ад Xizhi Technology і прадукты серыі інтэрфейсных модуляў SiC MOSFET PM6-4 маюць характарыстыкі звышнізкай індуктыўнасці контуру, больш нізкія скокі напружання, нізкае супраціўленне ўключэння і хуткае зваротнае аднаўленне, меншае цеплавое супраціўленне і больш высокую шчыльнасць магутнасці. Гэтыя прадукты адпавядаюць тэндэнцыі развіцця новых энергетычных транспартных сродкаў на 800 В, якія пераходзяць на карбід крэмнію ў пластыкавых герметызацыях модуляў харчавання, і могуць у поўнай меры прадэманстраваць выдатныя характарыстыкі паўправаднікоў трэцяга пакалення.