شركة Micron تطلق ذاكرة DDR5 DRAM جديدة باستخدام تقنية EUV Lithography على عملية 1γ

أطلقت شركة Micron العملاقة في مجال الذاكرة أول ذاكرة DDR5 DRAM جديدة باستخدام عملية 1γ (1-gamma؛ عقدة الجيل السادس 10nm) باستخدام تقنية الطباعة فوق البنفسجية القصوى (EUV). بدأت بالفعل عملية أخذ العينات والتحقق من ذاكرة DRAM الجديدة من قبل مصنعي أجهزة الكمبيوتر المحمولة والخوادم. وأكدت شركة ميكرون أن هذه الذاكرة العشوائية الديناميكية ستتمتع بأداء أعلى من 1β (1-beta)، واستهلاك أقل للطاقة، وكثافة بتات أعلى. وسوف يوفر الدعم لخمسة تطبيقات رئيسية بما في ذلك البيانات والهواتف المحمولة وأجهزة الكمبيوتر الذكية والسيارات الذكية والألعاب.