Micron DRAM جدید DDR5 را با استفاده از لیتوگرافی EUV در فرآیند 1γ راه اندازی می کند

غول حافظه Micron اولین DRAM جدید DDR5 خود را با استفاده از فرآیند 1γ (1-گاما؛ نسل ششم گره 10 نانومتری) با استفاده از فناوری لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) راه اندازی کرده است. DRAM جدید قبلاً نمونه برداری و تأیید شده توسط سازندگان نوت بوک و سرور آغاز شده است. Micron تاکید کرد که این DRAM عملکرد بالاتری نسبت به 1β (1-بتا)، مصرف انرژی کمتر و تراکم بیت بالاتر خواهد داشت. این برنامه از پنج برنامه اصلی شامل داده ها، تلفن های همراه، رایانه های شخصی هوش مصنوعی، ماشین های هوشمند و بازی ها پشتیبانی می کند.