Micron משיקה DDR5 DRAM חדש באמצעות ליטוגרפיית EUV על תהליך 1γ

ענקית הזיכרון מיקרון השיקה את ה-DDR5 DRAM החדש הראשון שלה באמצעות תהליך 1γ (1-גמא; דור שישי של צומת 10nm) תוך שימוש בטכנולוגיית ליתוגרפיה אולטרה סגול קיצונית (EUV). ה-DRAM החדש כבר החל להידגום ולאמת על ידי יצרני מחשבים ניידים ושרתים. Micron הדגישה כי ל-DRAM הזה יהיו ביצועים גבוהים יותר מ-1β (1-beta), צריכת חשמל נמוכה יותר וצפיפות סיביות גבוהה יותר. זה יספק תמיכה לחמישה יישומים עיקריים כולל נתונים, טלפונים ניידים, מחשבי AI, מכוניות חכמות ומשחקים.