Prodotti principali di Baishi Electronics

I wafer epitassiali SiC da 8 pollici di Baishi Electronics hanno raggiunto un livello avanzato a livello internazionale per quanto riguarda gli indicatori tecnici chiave. La prima linea di produzione è stata messa in funzione nel distretto di Pukou, Nanchino, nel 2021, con una capacità produttiva annua di 50.000 pezzi. Con la continua crescita della domanda del mercato, l'azienda sta pianificando di costruire una seconda fase di linea di produzione nella regione del delta del fiume Yangtze, con una capacità produttiva stimata di 280.000 wafer all'anno per soddisfare la crescente domanda di wafer epitassiali di terza e mezza generazione per uso automobilistico. L'azienda ha una capacità produttiva di wafer epitassiali SiC/GaN da 6 e 8 pollici, tra cui i wafer epitassiali in carburo di silicio da 3300 V che hanno raggiunto una produzione stabile con elevata resa e alta qualità. I prodotti Baishi Electronics sono ampiamente utilizzati nei mercati di fascia alta, come stazioni base 5G, veicoli elettrici, radar e caricabatterie rapidi, e sono stati riconosciuti dai giganti del settore a livello mondiale e dalle principali aziende nazionali.