Haaptprodukter vun Baishi Electronics

Baishi Electronics '8-Zoll SiC epitaxial Wafere hunn den internationale fortgeschrattenen Niveau an de wichtegsten techneschen Indikatoren erreecht. Déi éischt Produktiounslinn gouf am Pukou Distrikt, Nanjing am Joer 2021 a Betrib geholl, mat enger jährlecher Produktiounskapazitéit vu 50.000 Stéck. Mat dem kontinuéierleche Wuesstum vun der Maartfuerderung plangt d'Firma eng zweet Phase Produktiounslinn an der Yangtze River Delta Regioun ze bauen, mat enger geschätzter Produktiounskapazitéit vun 280.000 Wafer pro Joer fir d'wuessend Nofro fir Automotive-Schouljoer Drëtt-Generatioun an eng hallef epitaxial Wafer gerecht ze ginn. D'Firma huet d'Produktiounskapazitéit vu 6-Zoll an 8-Zoll SiC / GaN epitaxial Wafers, dorënner 3300V Siliciumcarbid Epitaxial Wafers hunn eng stabil Produktioun mat héijer Ausbezuelung an héich Qualitéit erreecht. Baishi Electronics Produkter gi wäit an High-End Mäert benotzt wéi 5G Basisstatiounen, elektresch Gefierer, Radaren, a Schnellladeger, a goufe vun de weltwäite Industriegiganten an haitegen féierende Firmen unerkannt.