廣東芯粵能成功開發出第一代碳化矽溝槽MOSFET製程平台

廣東芯粵能半導體有限公司經過兩年的技術研發與測試，成功開發出第一代碳化矽溝槽MOSFET製程平台。此技術具有降低比導通電阻、提高電流密度等優勢，能夠有效突破平面MOSFET性能提升瓶頸問題，進一步提升晶片效能、大幅降低成本。目前，此技術的1200V試製品單片最高良率超過97%，23mm2晶片尺寸下導通電阻為12.5mΩ，比導通電阻為2.3mΩ•cm2。