ON Semiconductor bringt intelligentes 1200-V-Leistungsmodul auf Siliziumkarbidbasis auf den Markt

ON Semiconductor gab am 18. März die Einführung der ersten Generation der SPM 31 Intelligent Power Module (IPM)-Serie auf Basis von 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) bekannt. Das Modul integriert unabhängige High-Side-Gate-Treiber, einen Niederspannungs-integrierten Schaltkreis (LVIC), sechs SiC-MOSFETs und einen Temperatursensor, wodurch Systemverluste und -größe erheblich reduziert werden.