ON Semiconductor lancerer 1200V siliciumcarbid-baseret intelligent strømmodul

ON Semiconductor annoncerede den 18. marts lanceringen af ​​sin første generation af SPM 31 Intelligent Power Module (IPM)-serien baseret på 1200V siliciumcarbid (SiC) MOSFET'er. Modulet integrerer uafhængige high-side gate-drivere, et lavspændings integreret kredsløb (LVIC), seks SiC MOSFET'er og en temperatursensor, hvilket reducerer systemtab og -størrelse markant.