ON Semiconductor lanceert 1200V op siliciumcarbide gebaseerde intelligente vermogensmodule

ON Semiconductor kondigde op 18 maart de lancering aan van de eerste generatie van de SPM 31 Intelligent Power Module (IPM)-serie op basis van 1200V siliciumcarbide (SiC) MOSFET's. De module integreert onafhankelijke high-side gate drivers, een laagspanningsgeïntegreerd circuit (LVIC), zes SiC MOSFET's en een temperatuursensor, waardoor de systeemverliezen en -grootte aanzienlijk worden verminderd.