ON Semiconductor lancia un modulo di potenza intelligente basato su carburo di silicio da 1200 V

Il 18 marzo ON Semiconductor ha annunciato il lancio della prima generazione della serie SPM 31 Intelligent Power Module (IPM) basata su MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V. Il modulo integra driver di gate indipendenti sul lato alto, un circuito integrato a bassa tensione (LVIC), sei MOSFET SiC e un sensore di temperatura, riducendo significativamente le perdite e le dimensioni del sistema.