ON Semiconductor lancéiert 1200V Silicon Carbide-baséiert Intelligent Power Modul
Si
MOSFET
Mo
Semi
SiC MOS
SiC MOSFET
Si
ON Semiconductor
Serie
Gate
integréiert
sensor
SiC
ON Semiconductor
2025-03-20 15:30
145
ON Semiconductor huet den 18. Mäerz de Start vun der éischter Generatioun vun der SPM 31 Intelligent Power Module (IPM) Serie ugekënnegt baséiert op 1200V Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs. De Modul integréiert onofhängeg High-Side Gate Treiber, e Low-Voltage Integréiert Circuit (LVIC), sechs SiC MOSFETs an en Temperatursensor, wat d'Systemverloschter an d'Gréisst wesentlech reduzéiert.
