Az ON Semiconductor elindítja az 1200 V-os szilícium-karbid alapú intelligens tápmodult

Az ON Semiconductor március 18-án bejelentette az SPM 31 Intelligent Power Module (IPM) sorozat első generációjának bevezetését, amely 1200 V-os szilícium-karbid (SiC) MOSFET-eken alapul. A modul integrálja a független magasoldali kapumeghajtókat, egy alacsony feszültségű integrált áramkört (LVIC), hat SiC MOSFET-et és egy hőmérséklet-érzékelőt, jelentősen csökkentve a rendszer veszteségeit és méretét.