ON Semiconductor запускає інтелектуальний модуль живлення 1200 В на основі карбіду кремнію

18 березня компанія ON Semiconductor оголосила про запуск свого першого покоління інтелектуального силового модуля (IPM) SPM 31 на основі МОП-транзисторів з карбіду кремнію (SiC) на 1200 В. Модуль інтегрує незалежні драйвери затвора високої сторони, низьковольтну інтегральну схему (LVIC), шість SiC MOSFET і датчик температури, що значно зменшує втрати та розмір системи.