DE Semiconductor Launches 1200V Silicon Carbide-Substructio Intelligent Power Module
2025-03-20 15:30
145
DE Semiconductor die 18 Martii denuntiavit deductionem primae suae generationis SPM 31 Moduli potentiae intelligentis (IPM) seriei innixa in 1200V carbide pii (SiC) MOSFETs. Modulus rectores portae altae independentes integrat, humili intentione ambitum (LVIC), sex SiC MOSFETs et sensorem temperatum, signanter deminutio systematis damnorum et magnitudinis.
