ON Semiconductor omoñepyrũ Módulo de Potencia Inteligente 1200V Carburo de Silicio rehegua

ON Semiconductor oikuaauka 18 de marzo omoherakuãvo primera generación serie SPM 31 Módulo de Potencia Inteligente (IPM) oñemopyendáva MOSFET carburo de silicio (SiC) 1200V. Ko módulo ointegra umi conductor independiente compuerta lado alto, circuito integrado de baja tensión (LVIC), seis MOSFET SiC ha sensor temperatura, tuicha omboguejýva pérdida ha tamaño sistema.