Polar Semiconductor與瑞薩電子達成策略協議,推動GaN元件商業化量產
HPA記憶停車
賓士EQE SUV
瑞薩電子
氮化鎵
大客戶
能
元
中心
授權
元
量產
高壓
工廠
矽基
矽基氮化鎵
航空
航太
商業化
授權
車規
國防
資料中心
消費
工業
汽車
車規級
汽車電子
生產
2025-04-18 11:10
241
Polar Semiconductor與瑞薩電子達成戰略協議,授權其矽基氮化鎵D型(GaN-on-Si)技術,並將在其位於明尼蘇達州的8英寸車規級量產工廠為瑞薩及其他客戶生產650V高壓矽基氮化鎵器件。雙方將共同推動GaN元件的商業化量產,重點在於涵蓋汽車電子、資料中心、工業能源、消費性電子及航空航太與國防等關鍵領域。
Prev:Ikatu ohasa pe pico ampliación CoWoS rehegua, ha ojevýta equilibrio-pe 2026-pe
Next:Polar Semiconductor and Renesas Electronics Enter into Strategic Agreement to Promote Commercialization of GaN Devices
News
Exclusive
Data
Account