英飛凌全新高壓IGBT晶片年底量產

英飛凌即將在年底開始生產最新的高壓IGBT晶片，包括第三代EDT3和800V專用的RC-IGBT晶片。這些晶片旨在提高電動車的效率，從而增加續航里程。 EDT3相較於前一代產品降低了20%的損耗，同時提高了高低負載效率，使續航里程提升了5%-8%。而RC-IGBT則透過整合設計優化了空間和功率密度，使其適合高端800V車型。