Der neue Hochspannungs-IGBT-Chip von Infineon wird bis Ende des Jahres in Massenproduktion gehen

Infineon wird Ende des Jahres mit der Produktion seiner neuesten Hochspannungs-IGBT-Chips beginnen, darunter die dritte Generation EDT3 und 800-V-spezifische RC-IGBT-Chips. Die Chips sollen Elektrofahrzeuge effizienter machen und so ihre Reichweite erhöhen. Im Vergleich zur vorherigen Generation reduziert EDT3 die Verluste um 20 %, während die Effizienz bei hoher und niedriger Last verbessert wird und die Reichweite um 5–8 % erhöht wird. Der RC-IGBT optimiert Platz und Leistungsdichte durch integriertes Design und ist daher für High-End-800-V-Modelle geeignet.