O novo chip IGBT de alta tensão da Infineon será colocado em produção em massa até o final do ano

A Infineon começará a produção de seus mais recentes chips IGBT de alta tensão, incluindo os chips EDT3 de terceira geração e RC-IGBT específicos de 800 V, no final do ano. Os chips são projetados para tornar os veículos elétricos mais eficientes, aumentando assim sua autonomia. Em comparação com a geração anterior, o EDT3 reduz as perdas em 20%, ao mesmo tempo que melhora a eficiência de carga alta e baixa, aumentando a autonomia de condução em 5%-8%. O RC-IGBT otimiza o espaço e a densidade de potência por meio de design integrado, tornando-o adequado para modelos de 800 V de ponta.