Infineonin uusi korkeajännite IGBT-siru otetaan massatuotantoon vuoden loppuun mennessä

Infineon aloittaa uusimpien korkeajännitteisten IGBT-sirujensa tuotannon, mukaan lukien kolmannen sukupolven EDT3- ja 800V-spesifiset RC-IGBT-sirut, vuoden lopussa. Sirut on suunniteltu tehostamaan sähköautoja ja lisäämään siten niiden kantamaa. Edelliseen sukupolveen verrattuna EDT3 vähentää häviöitä 20 % ja parantaa korkean ja matalan kuormituksen tehokkuutta ja lisää ajoaluetta 5 % - 8 %. RC-IGBT optimoi tilan ja tehotiheyden integroidun suunnittelun ansiosta, joten se sopii huippuluokan 800 V malleihin.