De nieuwe hoogspannings-IGBT-chip van Infineon zal eind dit jaar in massaproductie gaan

Infineon begint eind dit jaar met de productie van zijn nieuwste hoogspannings-IGBT-chips, waaronder de derde generatie EDT3 en 800V-specifieke RC-IGBT-chips. De chips moeten elektrische voertuigen efficiënter maken en daarmee hun actieradius vergroten. Vergeleken met de vorige generatie vermindert de EDT3 de verliezen met 20% en verbetert de efficiëntie bij hoge en lage belasting, waardoor de actieradius met 5%-8% toeneemt. De RC-IGBT optimaliseert de ruimte- en vermogensdichtheid dankzij het geïntegreerde ontwerp, waardoor deze geschikt is voor hoogwaardige 800V-modellen.