Infineons nye højspændings-IGBT-chip vil blive sat i masseproduktion ved udgangen af ​​året

Infineon vil begynde produktionen af ​​sine seneste højspændings-IGBT-chips, inklusive tredje generation EDT3 og 800V-specifikke RC-IGBT-chips, i slutningen af ​​året. Chipsene er designet til at gøre elbiler mere effektive og dermed øge deres rækkevidde. Sammenlignet med den tidligere generation reducerer EDT3 tabene med 20 %, mens den forbedrer høj- og lavbelastningseffektiviteten og øger køreområdet med 5 %-8 %. RC-IGBT optimerer plads og effekttæthed gennem integreret design, hvilket gør den velegnet til high-end 800V-modeller.