Infineoni uut kõrgepinge IGBT-kiipi hakatakse masstootma aasta lõpuks

Infineon alustab oma uusimate kõrgepinge IGBT kiipide, sealhulgas kolmanda põlvkonna EDT3 ja 800 V-spetsiifiliste RC-IGBT kiipide tootmist aasta lõpus. Kiibid on mõeldud elektrisõidukite tõhusamaks muutmiseks, suurendades seeläbi nende sõiduulatust. Võrreldes eelmise põlvkonnaga, vähendab EDT3 kadusid 20%, parandades samal ajal suure ja väikese koormuse efektiivsust, suurendades sõiduulatust 5% -8%. RC-IGBT optimeerib ruumi ja võimsustihedust tänu integreeritud disainile, muutes selle sobivaks tipptasemel 800 V mudelitele.