Виробничі потужності Changxin Storage DRAM значно зросли

ChangXin Memory Technologies (CXMT) очікує, що виробництво DRAM цього року досягне 2,73 мільйона одиниць, що на 68% більше, ніж минулого року. Якщо ця тенденція збережеться, виробництво DRAM Changxin Memory може перевершити виробництво Micron і, як очікується, досягне половини виробництва SK Hynix. Очікується, що в найближчі 1-2 роки ринок DRAM буде реорганізований з тристоронньої структури на чотиристоронню, і надлишок пропозиції стане реальністю.