„Changxin Storage“ DRAM gamybos pajėgumai žymiai padidėjo

„ChangXin Memory Technologies“ (CXMT) tikisi, kad šiais metais DRAM gamyba pasieks 2,73 mln. vienetų, ty 68% daugiau nei praėjusiais metais. Jei ši tendencija tęsis, „Changxin Memory“ DRAM gamyba gali pranokti „Micron“ ir turėtų pasiekti pusę „SK Hynix“ gamybos. Tikimasi, kad per artimiausius 1-2 metus DRAM rinka bus reorganizuota iš trijų partijų į keturių partijų struktūrą, o pasiūlos perteklius taps realybe.