Toshiba Electronics e Tianyue Advanced hanno raggiunto un accordo di cooperazione sui semiconduttori di potenza SiC

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation e Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. hanno raggiunto un accordo di base sui substrati per semiconduttori di potenza in SiC. Le due parti collaboreranno sia a livello tecnico che commerciale. I semiconduttori di potenza sono componenti chiave per raggiungere l'efficienza energetica e la neutralità carbonica nelle apparecchiature elettriche, e la domanda di mercato continua a crescere.