Toshiba Electronics и Tianyue Advanced достигли соглашения о сотрудничестве в области силовых полупроводников SiC

Компании Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation и Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. достигли базового соглашения по подложкам для силовых полупроводников на основе карбида кремния (SiC). Стороны будут осуществлять техническое и коммерческое сотрудничество. Силовые полупроводники являются ключевыми компонентами для достижения энергоэффективности и углеродной нейтральности в электрооборудовании, и рыночный спрос на них продолжает расти.