サムスン電子、2027年にHBM4Eの量産に向けて3TB/sを超える帯域幅を目標に設定

サムスン電子は、第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）の帯域幅を3TB/s以上に引き上げる計画で、2027年に量産開始を予定しています。この目標帯域幅は、現在の第5世代メモリ（HBM3E）の2.5倍に相当します。また、サムスン電子は、HBM4Eのエネルギー効率はHBM3Eの2倍以上になると発表しました。