Samsung Electronics setzt sich für die Massenproduktion von HBM4E im Jahr 2027 eine Bandbreite von über 3 TB/s zum Ziel

Samsung Electronics plant, die Bandbreite seines High-Bandwidth-Memory der siebten Generation (HBM4E) auf über 3 TB/s zu erhöhen. Die Massenproduktion soll 2027 beginnen. Diese Zielbandbreite ist 2,5-mal so hoch wie die der aktuellen fünften Generation (HBM3E). Samsung Electronics gab außerdem an, dass HBM4E mehr als doppelt so energieeffizient sein wird wie HBM3E.