Samsung Electronics fixe un objectif de bande passante dépassant 3 To/s pour la production de masse du HBM4E en 2027

Samsung Electronics prévoit d'augmenter la bande passante de sa mémoire haut débit de septième génération (HBM4E) à plus de 3 To/s, la production en série étant prévue pour 2027. Cette bande passante cible est 2,5 fois supérieure à celle de la cinquième génération actuelle (HBM3E). Samsung Electronics a également indiqué que la HBM4E sera plus de deux fois plus économe en énergie que la HBM3E.