Samsung Electronics establece un objetivo de ancho de banda superior a 3 TB/s para la producción en masa de HBM4E en 2027

Samsung Electronics planea aumentar el ancho de banda de su memoria de alto ancho de banda de séptima generación (HBM4E) a más de 3 TB/s, con producción en masa prevista para 2027. Este ancho de banda objetivo es 2,5 veces mayor que el de la quinta generación actual (HBM3E). Samsung Electronics también afirmó que la HBM4E tendrá más del doble de eficiencia energética que la HBM3E.