Samsung Electronics fissa un obiettivo di larghezza di banda superiore a 3 TB/s per la produzione di massa di HBM4E nel 2027

Samsung Electronics prevede di aumentare la larghezza di banda della sua memoria ad alta larghezza di banda di settima generazione (HBM4E) a oltre 3 TB/s, con una produzione di massa prevista per il 2027. Questa larghezza di banda target è 2,5 volte superiore a quella dell'attuale quinta generazione (HBM3E). Samsung Electronics ha inoltre affermato che l'HBM4E sarà più che doppiamente efficiente dal punto di vista energetico rispetto all'HBM3E.