Samsung Electronics устанавливает целевой показатель пропускной способности более 3 ТБ/с для массового производства HBM4E в 2027 году

Компания Samsung Electronics планирует увеличить пропускную способность своей высокоскоростной памяти седьмого поколения (HBM4E) до более чем 3 ТБ/с, а её массовое производство ожидается в 2027 году. Эта пропускная способность в 2,5 раза превышает пропускную способность текущего пятого поколения (HBM3E). Samsung Electronics также заявила, что HBM4E будет более чем вдвое энергоэффективнее HBM3E.