حددت شركة سامسونج للإلكترونيات هدفًا لنطاق ترددي يتجاوز 3 تيرابايت في الثانية لإنتاج HBM4E بكميات كبيرة في عام 2027

تخطط شركة سامسونج للإلكترونيات لزيادة عرض النطاق الترددي لذاكرة الجيل السابع عالية النطاق الترددي (HBM4E) إلى أكثر من 3 تيرابايت/ثانية، ومن المتوقع بدء الإنتاج الضخم في عام 2027. ويعادل هذا النطاق الترددي المستهدف ضعفين ونصف ضعف عرض النطاق الترددي لذاكرة الجيل الخامس الحالية (HBM3E). كما أعلنت سامسونج للإلكترونيات أن HBM4E ستكون أكثر كفاءة في استهلاك الطاقة من HBM3E بأكثر من ضعفين.