Samsung Electronics menetapkan lebar jalur sasaran melebihi 3TB/s untuk pengeluaran besar-besaran HBM4E pada tahun 2027

Samsung Electronics merancang untuk meningkatkan lebar jalur memori lebar jalur tinggi generasi ketujuhnya (HBM4E) kepada lebih 3TB/s, dengan pengeluaran besar-besaran dijangka pada 2027. Lebar jalur sasaran ini ialah 2.5 kali ganda daripada generasi kelima semasa (HBM3E). Samsung Electronics juga menyatakan bahawa HBM4E akan lebih daripada dua kali lebih cekap tenaga berbanding HBM3E.