三星电子开始量产下一代存储器1c DRAM

三星电子已经开始量产其下一代存储器——第六代DRAM（1c DRAM），并且其良率已经接近80%的量产目标。1c DRAM是下一代高带宽存储器HBM4的基础，三星电子希望通过这款产品重新夺回在人工智能存储器领域的领先地位。三星电子的1c DRAM良率近期已达到70%左右，多位知情人士表示，三星电子已显著提高1c DRAM的良率，已接近80%以上的目标。