중국 자원 마이크로일렉트로닉스의 SiC MOS 메인 드라이브 모듈이 차량에 양산되고 있습니다.

차이나 리소시스 마이크로일렉트로닉스(China Resources Microelectronics)의 4세대 SiC MOS 메인 드라이브 모듈이 주요 자동차 제조업체에 성공적으로 도입되어 양산을 시작했습니다. 1200V SiC MOS G4 플랫폼 칩을 기반으로 하는 이 모듈은 ValueDual 패키지, 6/8 트랜지스터 병렬 설계, 그리고 1.6mΩ의 최소 온 저항을 활용합니다. EconoDULA 모듈 범주에 속하며, 상용차 메인 드라이브 시스템에서 탁월한 성능을 입증했습니다.